Galaxy S10+ with 1TB

Samsung сообщила, что удвоит число памяти, объявив о массовом выпуске встроенного универсального флэш-накопителя объемом 1 ТБ. Эта новость появилась менее чем за месяц до того, как корейский производитель представит свои новые флагманские устройства.

В пресс-релизе также подчеркивается, что чип будет во флагманском устройстве, поскольку в нем четко говорится: «Samsung стремится обеспечить наиболее надежную цепочку поставок и достаточные объемы производства для поддержки своевременных выпусков будущих флагманских смартфонов для ускорения роста мировой экономики, мобильного рынка."

С технической точки зрения, это новое хранилище eUFS является одним из самых быстрых со скоростью до 1000 МБ/с, что в десять раз быстрее, чем стандартная карта MicroSD. Чип также относительно небольшой, размером 11,5х13,0 мм, что соответствует размеру его старшего брата 512 ГБ.

ПРЕСС-РЕЛИЗ

Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявила о начале массового производства первого в отрасли встроенного флэш-накопителя (eUFS) 2.1 объемом 1 ТБ для использования в мобильных устройствах следующего поколения. Всего через четыре года после представления первого решения UFS, eUFS емкостью 128 гигабайт (ГБ), Samsung преодолела столь ожидаемый порог терабайта в хранилище смартфона. Владельцы смартфонов скоро смогут пользоваться количеством памяти, сопоставимой с ноутбуком премиум-класса, без необходимости сопрягать свои телефоны с дополнительными картами памяти.

«Ожидается, что eUFS емкостью 1 ТБ сыграет решающую роль в обеспечении большего удобства пользователей ноутбуков для мобильных устройств следующего поколения», - сказал Чол Чой, исполнительный вице-президент по продажам и маркетингу памяти в Samsung Electronics. «Более того, Samsung стремится обеспечить наиболее надежную цепочку поставок и адекватные объемы производства для поддержки своевременных запусков будущих флагманских смартфонов для ускорения роста глобального рынка мобильных устройств».

При том же размере (11,5 x 13,0 мм), eUFS емкостью 1 ТБ удваивает ёмкость предыдущей версии объемом 512 ГБ, объединяя 16 слоев в стэке самой современной 5-гигабитной (Gb) V-NAND флэш-памяти Samsung и недавно разработанный собственный контроллер. Теперь пользователи смартфонов смогут хранить 260 10-минутных видео в формате 4K UHD (3840 × 2160), в то время как eUFS объемом 64 ГБ, широко используемая во многих современных смартфонах высокого класса, способна хранить 13 видео того же размера.

eUFS емкостью 1 ТБ также обладает исключительной скоростью, что позволяет пользователям передавать большие объемы мультимедийного контента в значительно сокращенное время. Со скоростью до 1000 мегабайт в секунду, новая eUFS обеспечивает примерно вдвое большую скорость чтения по сравнению с обычным 2,5-дюймовым твердотельным накопителем SATA (SSD). Это означает, что видео в формате Full HD размером 5 ГБ можно выгрузить на твердотельный накопитель NVMe всего за пять секунд, что в 10 раз превышает скорость обычной карты microSD. Кроме того, скорость случайного чтения увеличилась на 38% по сравнению с версией 512 ГБ, достигнув 58 000 IOPS (Input Operations Per Second). Произвольная запись выполняется в 500 раз быстрее, чем высокопроизводительная карта microSD (100 IOPS), и может достигать 50 000 IOPS. Произвольные скорости позволяют осуществлять высокоскоростную непрерывную съемку со скоростью 960 кадров в секунду и позволят пользователям смартфонов в полной мере использовать возможности мультикамер в современных и будущих флагманских моделях.

Samsung планирует расширить производство V-NAND 512Gb пятого поколения на своем заводе в Пхёнтэке в Корее в течение первой половины 2019 года, чтобы полностью удовлетворить ожидаемый высокий спрос на 1 ТБ eUFS со стороны производителей мобильных устройств по всему миру.

Источник - Android Police

Если возникли вопросы - пишите в группу ВК, что бы не пропустить новости подпишитесь на канал.