November 23, 2022

আউফবাউ নীতি - পলির বর্জন নীতি - হুন্ডের নীতি সম্পূর্ণ ব্যাখ্যা

আউফবাউ নীতি :-

অরবিটালের শক্তি নির্ণয়ের সূত্র:- (n+l).

(n+l) এর  মান যে অরবিটালের জন্য কম হবে সেই অরবিটালের শক্তি কম হবে।  আবার, (n+l) এর মান যে অরবিটালে বেশি হবে সেই অরবিটালের শক্তি বেশি হবে।

1s → ( n=1, l=0, n+l= 1+0=1)

2s → ( n=2, l=0, n+l= 2+0=2)

2p → ( n=2, l=1, n+l= 2+1=3)

যে অরবিটালের  শক্তি সবচেয়ে কম ইলেকট্রন সেখানে আগে  প্রবেশ করবে।  এরপর ইলেকট্রন তার চেয়ে বেশি শক্তির অরবিটালে প্রবেশ করবে। এইভাবে নিম্নশক্তির অরবিটাল হতে ,  উচ্চশক্তির  অরবিটালের দিকে ইলেকট্রন  ক্রমান্বয়ে পূর্ণ হতে থাকবে। ইলেক্ট্রন দ্বারা এভাবে অরবিটাল পূর্ণ হওয়ার নীতিকে আউফবাউ নীতি বলে ।

অরবিট ও অরবিটাল কাকে বলে-এবং এদের মধ্যে পার্থক্য ব্যাখ্যা:-২০২৩

পলির বর্জন নীতি :-

কোন একটি অরবিটালের যেকোনো দুইটি  ইলেকট্রন প্রথম তিনটি কোয়ান্টাম সংখ্যার মান একই হলেও চতুর্থ কোয়ান্টাম সংখ্যার মান অবশ্যই ভিন্ন হবে।

হুন্ডের নীতি:-

উপস্তরের  সমশক্তি সম্পন্ন অরবিটালের ক্ষেত্রে এই নীতি প্রযোজ্য।

কোন সমশক্তির অরবিটালে প্রবেশের সময় প্রথমে একটি করে ইলেকট্রন একমুখী স্পিনে  প্রবেশ করবে।  এরপর প্রাপ্যতা অনুসারে একই নিয়মে বিপরীতমুখী স্পিনে  ইলেকট্রন প্রবেশ করবে, এই নীতিকে হুন্ডের নীতি বলে।

হুন্ডের  নীতি অনুসারে প্রথমে Px, এরপর Py, এরপর Pz এ  একটি করে ইলেকট্রন একমুখী স্পিনে প্রবেশ করে। তারপর চতুর্থ নাম্বার ইলেকট্রনটি Px অরবিটালে  বিপরীতমুখী স্পিনে প্রবেশ করে।

Crএর ইলেকট্রন বিন্যাস ব্যতিক্রম হওয়ার কারণ হল

Cr এর3d অরবিটালে যদি 4টি ইলেকট্রন থাকে, তখন তা অস্থিতিশীল অবস্থার সৃষ্টি করে। ফলে সে স্থিতিশীলতা অর্জনের জন্য 4s হতে একটি ইলেকট্রন নিয়ে 3d তে 5টি ইলেকট্রন লাভ করে। এ কারণে তার ইলেকট্রন বিন্যাস ব্যতিক্রম হয়।

Cu এর ইলেকট্রন বিন্যাস ব্যতিক্রম হওয়ার কারণ হল- 

Cu এর 3d অরবিটালে যদি 9টি ইলেকট্রন থাকে, তখন তা অস্থিতিশীল অবস্থার সৃষ্টি করে।  ফলে সে স্থিতিশীলতার  অর্জনের জন্য 4s হতে একটি ইলেকট্রন নিয়ে 3d তে 10টি ইলেকট্রন লাভ করে। এ কারণে তার ইলেকট্রন বিন্যাস ব্যতিক্রম হয়।

কোয়ান্টাম সংখ্যা ও প্রকারভেদ উদাহরণসহ বিস্তারিত