Модули памяти

На ранних моделях компьютеров ОЗУ были установлены на материнских платах в виде отдельных микросхем. Отдельные интегральные схемы, называемые микросхемами с двухрядным расположением выводов (dual inline package, DIP), были неудобны в установке и часто расшатывались. Для решения этой проблемы проектировщики объединили интегральные схемы в печатную плату, создав модуль памяти, который устанавливается в соответствующий разъем на материнской плате.

Типы модулей памяти приведены на рис. 1.

Примечание. Модули памяти бывают односторонними и двухсторонними. На односторонних модулях памяти микросхемы ОЗУ напаяны только с одной стороны. На двухсторонних модулях памяти микросхемы ОЗУ расположены с обеих сторон.

Скорость работы памяти оказывает прямое воздействие на объем данных, который может обработать процессор за указанный промежуток времени. С повышением скорости работы процессора скорость работы памяти также должна возрастать. Для увеличения пропускной способности памяти также используется технология многоканальной обработки. Стандартная оперативная память является одноканальной, т. е. система обращается ко всем разъемам ОЗУ одновременно. Также существует двухканальная оперативная память. Это означает, что система обращается одновременно к двум модулям по разным каналам. В случае с трехканальной оперативной памятью задействуется уже три канала.

Наибольшее быстродействие обеспечивает статическое ОЗУ (SRAM), которое используется в качестве кэш-памяти для хранения недавно использованных процессором данных и команд. SRAM обеспечивает процессору более быстрый доступ к данным по сравнению с более медленным динамическим ОЗУ (DRAM), или основной памятью.

На рис. 2 приведены три наиболее распространенных типа кэш-памяти.

Если данные сохраняются на микросхемах ОЗУ с ошибками, возникают ошибки памяти. Компьютер использует различные способы выявления и исправления ошибок в памяти.

Различные способы выявления ошибок приведены на рис. 3.