Алгоритм разработки ГИС
Гибридные микросхемы находят широкое применение в современной электронике. Эти микросхемы обладают рядом достоинств, среди которых можно отметить возможность использования разнообразных активных элементов, что позволяет создавать микросхемы с широким диапазоном выполняемых функций. Кроме того, элементы гибридных ИМС обладают высокой температурной и временной стабильностью.
Основными конструктивными элементами гибридных микросхем являются:
- диэлектрическая подложка
- пленочные резисторы, конденсаторы, индуктивности, проводники, контактные площадки
- навесные полупроводниковые приборы (транзисторы, диоды, микросхемы), навесные пассивные элементы (конденсаторы с большой емкостью, трансформаторы, дроссели и т.д.).
Гибридная схема должна выполняться в виде функционально законченного узла, но допускать возможность контроля над параметрами.
Разработка ГИС производится в следующей последовательности:
- Производится анализ принципиальной электрической схемы устройства, отработанной в навесном исполнении с учетом особенностей и возможностей пленочной технологии: получения пленочных элементов необходимых номиналов с заданной точностью, пробивным напряжением, рассеиваемой мощностью и др. Учитываются параметры и конструкции активных элементов, надежность и экономические факторы.
- Сложные схемы с большим количеством напыляемых элементов разбиваются на несколько функциональных узлов (компоновка схемы). При этом учитывается необходимость наибольшей унификации ГИС.
- Разрабатывается конструкция ГИС
- Разрабатывается топология ГИС
- Оформляются чертежи ГИС
- Изготавливается экспериментальный образец
- Проводятся испытания ГИС, предусмотренные в технических условиях на изделие
- Производится корректировка технической документации
По принципиальной электрической схеме определяется перечень напыляемых элементов. В перечне приводятся сведения о номиналах, допусках, максимальной рассеиваемой мощности (для резисторов), максимальное напряжение (для конденсаторов). Расположение и размеры контактных площадок зависят от принятого способа контактирования или сварки, а также от расположения жестких выводов.