Масочный метод
Самым простым методом получения заданной конфигурации пленочных элементов является масочный, при котором нанесение каждого слоя тонкопленочной структуры осуществляется через специальный трафарет. При масочном методе рекомендуется такая последовательность формирования слоев ГИС:
- напыление резисторов, проводников и контактных площадок
- межслойной изоляции
- второго слоя для пересечения проводников
- нижних обкладок конденсаторов
- диэлектрика
- верхних обкладок конденсаторов
- защитного слоя
Пленка из напыляемого материала осаждается на подложке в местах, соответствующих рисунку окон в маске. В качестве материала съемной маски используют пленку бериллиевой бронзы толщиной 0,1- 0,2 миллиметра, покрытую слоем никеля толщиной около 10 мкм.
Нанесение пленок через съемные маски осуществляют термическим испарением в вакууме либо ионно-плазменным распылением.
В результате коробления маски в процессе напыления пленки между маской и подложкой образуется зазор, приводящий к подпылу. Кроме того, размеры окон в маске при многократном напылении уменьшаются. Все это обуславливает меньшую точность данного метода по сравнению с фотолитографическим.
Несмотря на недостатки, масочный метод является самым простым, технологичным и высокопроизводительным.