DDR6: когда ждать и чего ожидать?
Стандарт памяти DDR5, официально доработанный в июле 2020 года для AMD Ryzen 7000 (“Raphael”) и Intel Core 13000 (“Alder Lake”), только за последние два года начал постепенно заменять свою предшественницу DDR4 в настольных компьютерах. Но уже сейчас на пороге стоит грядущая память DDR6.
Чего же нам ждать от нового стандарта памяти DDR6? Какими достоверными сведениями мы уже располагаем? Мы расскажем вам об этом и предоставим исчерпывающие базовые знания о следующем поколении оперативной памяти в ПК, серверах и ноутбуках.
Скорость DDR6 должна достигать 12 800 МТ/с+.
Samsung еще на Tech Day 2021 года рассказала о DDR6 и ее эволюционном этапе DDR6+, раскрыв много интересных подробностей о грядущем стандарте памяти.
Если взять за основу скорости, официально одобренные JEDEC, то с введением DDR5 по сравнению с DDR4 максимальная скорость передачи данных была удвоена с 3400 МТ/с до 6400 МТ/с. Samsung прогнозирует аналогичное увеличение для DDR6, которая будет работать со скоростью до 12 800 МТ/с, как и DDR6-12800.
Следует отметить, что это только официальные стандартные скорости, указанные JEDEC, которые могут быть значительно превышены модулями с разгоном (OC).
Таким образом, карты памяти со строго подобранными модулями памяти (“ICS”) должны обеспечивать производительность DDR6-16800 со скоростью до 16 800 МТ/с в качестве модулей OC.
Разработка стандартов памяти DDR в этом случае будет выглядеть следующим образом с точки зрения чистой скорости работы памяти:
DDRСкорость: DDR3800 МТ/с – 2400 МТ/с DDR41600 МТ/с – 3200 МТ/с DDR53200 МТ/с – 6400 МТ/с DDR64800 МТ/с – 12800 МТ/с
Из-за значительно более высокой скорости памяти, связанной с переходом с DDR5 на DDR6, пропускная способность памяти также заметно увеличивается.
DDR6 имеет четыре канала памяти.
Количество каналов памяти на модуль увеличено до четырех с DDR6, что снова удвоилось по сравнению с DDR5. Количество банков памяти также увеличивается в два раза – до 64, что, в свою очередь, означает четырехкратное увеличение по сравнению с DDR4.
При сравнении пропускной способности памяти между поколениями DDR6 снова значительно увеличится:
DDRПропускная способность: DDR-3,2 Гбит/с DDR2-8,5 ГБ/с DDR3-17,0 ГБ/с DDR4-28,8 ГБ/с DDR5-67,2 ГБ/с DDR6-134,4 ГБ/с+
Таким образом, можно предположить, что самые быстрые модули памяти DDR6 смогут обеспечивать пропускную способность памяти не менее 134,4 Гбит/с, при этом модули OC обеспечат значительно большую пропускную способность памяти в секунду.
Больше функций, меньше напряжения.
Как и при переходе с DDR4 на DDR5, набор функций нового поколения памяти снова будет значительно расширен. Все соответствующие производители чипов DRAM, такие как Samsung, Micron, Nanya и SK Hynix, уже сообщили об этом.
В дополнение к еще более усовершенствованной PMIC (микросхеме управления питанием), которая контролирует управление энергопотреблением модулей памяти, и еще более пониженному напряжению питания (VDIMM), функции ECC для проверки четности и исправления ошибок также будут расширены.